Установка травления в удаленной плазме Vega предназначена для плазмохимического удаления полимеров, в том числе фоторезистов, с полупроводниковых пластин диаметром 100/150 мм в условиях серийного производства малогабаритных изделий широкой номенклатуры, чувствительных к наведенному заряду. Пластины в установку загружаются одиночные, в кассетах или в герметичном контейнере.
Базовая технология, реализуемая в оборудовании – применение удаленного источника плазмы на индуктивно-связанном разряде. Индуктивно-связанный разряд имеет высокую эффективность передачи энергии в плазму при низких значениях электронной температуры (по сравнению с СВЧ разрядом и разрядом с емкостной связью) и обеспечивает высокую эффективность диссоциации при строгой пространственной локализации разряда. Отношение степени диссоциации к степени ионизации в индуктивно-связанном разряде может быть в 100-1000 раз выше, чем в СВЧ плазме. Таким образом, установка обеспечивает высокую скорость травления при максимально мягком воздействии на подложку и возможность контроля каналов протекания химических реакций.
Технология - травление в удаленной плазме
Предназначение - плазмохимическое удаление фоторезиста с полупроводниковых пластин
Состав оборудования
- Модуль загрузки-выгрузки
- Технологическая станция
- Технологический столик
- Шасси
- Система охлаждения
- Система газовая
- Система управления и электропитания
- Система вакуумная
- Система окончания процесса травления
- Панель оператора
Особенности работы
В ICP источнике плазма генерируется в отдельном устройстве, имеющем свою разрядную камеру с компактной геометрией. Разрядная камера из алюмооксидной керамики позволяет работать как с кислородной, так и с фторсодержащей или водородной плазмой. За счет протяженной конструкции индуктора обеспечиваются оптимальные условия для разряда и эффективной диссоциации подаваемого газа при больших протоках. Активированная газовая смесь подается в технологическую камеру, где располагается обрабатываемая пластина.
Пластина размещается на нагревательном столике с температурой нагрева от 70 до 320 °С. Вертикальное перемещение столика позволяет задавать высоту расположения пластины во время обработки. Дополнительно пластина может приподниматься над столиком пинами для обработки края и обратной стороны подложки в целях очистки от остаточных загрязнений.
Рабочие газы подаются через генератор индуктивно-связанной плазмы, затем через экран-рассекатель для точной настройки равномерности травления. Откачка ведется из нижней части реактора, обеспечивая стабильность и равномерность процесса. Управление ведется по газонезависимому емкостному датчику давления. В линии откачки размещен газоанализатор на базе быстродействующего спектрометра, показания которого используются для определения момента окончания травления, что позволяет повысить производительность и сократить время воздействия на открытые полупроводниковые структуры после удаления фоторезиста.
