Наши публикации

Плазменная обработка является часто используемой технологической операцией при изготовлении многих изделий микро и наноэлектроники, фотоники, оптики, биомедицины и др. При различных режимах возможна очистка, активация, травление и модификация поверхности обрабатываемых материалов и изделий. В установках с повышенной мощностью (более 500 Вт) электроды должны быть водоохлаждаемыми, при этом для отработки технологических режимов желательно обеспечить стабильную температуру охлаждающей воды с помощью чиллера. В статье приведена информация о линейке установок плазменной обработки MPC от российской компании GN tech. На примере модели MPC-F1-18 с мощностью разряда 1000 Вт продемонстрирован технологический диапазон, позволяющий технологам назначать базовые режимы плазменной обработки.

Микроразмерная обработка керамических материалов при изготовлении изделий электронной техники является важным этапом технологического процесса. При этом ужесточение требований к конечным изделиям и их постоянная миниатюризация накладывает серьезные ограничения на традиционные методы механической и лазерной обработки. В статье рассмотрены возможности метода электронно-лучевой обработки керамики. Приведены результаты экспериментальных исследований по обработке спеченной керамики ВК94-ДН и LTCC KEKO SK-47.

Обработка в плазме тлеющего разряда все активнее применяется для очистки поверхностей материалов от загрязнений, уменьшения шероховатости поверхности, повышения поверхностной энергии и модификации поверхности. В статье приведены результаты обработки в плазме высокочастотного и низкочастотного газового разряда в установке плазменной обработки MPC RF-12 дисков оптических кристаллов и кассет твердотельных светодиодов. Оценено влияние параметров и режимов плазменной обработки, а именно мощности, времени и типа рабочего газа, на качество обработки. Показано, что плазменная обработка является мощным инструментом влияния на свой­ства поверхности оптических кристаллов, эффективна для удаления оксидных слоев металлов и безопасна для клеевых соединений кристаллов с основанием.

При проектировании производственного оборудования для реализации процессов осаждения металлических пленок актуальной задачей является выбор технологических источников, которые долж- ны обеспечивать требуемое качество (структуру, внешний вид), максимальные эффективность процесса и производительность. Однако в реальных производственных условиях сделать этот выбор сложно в связи с недостаточностью сравнительных материалов источников. Лабораторные результаты нередко отличаются от результатов на производстве. Цель работы – сравнить методы магнетронного осаждения в реальных про- мышленных условиях (планарном протяженном магнетроне, жидкофазном магнетроне и цилиндрическом магнетроне с вращающимся катодом), выявить их преимущества, недостатки и особенности формирования металлических пленок, проанализировать экономическую целесообразность выбора каждого из них и дать практические рекомендации выбора источника при реализации требуемого процесса.