单位置真空设备 (GERA)

参数	参数值
操作过程	物理气相沉积涂层沉积 -溅射/反应溅射 -敷形涂料（用于1：10一下的比例）
工艺气体	3个以上通道带质量流量控制器的气体歧管
工艺站的绝对压力限值（帕）	1х10-5
温度	20-450 С

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GERA是单位置真空设备，专为在 100/150 毫米晶片上执行微电子生产工艺而设计，可处理单个晶片、盒装或密封容器中的晶片。
*如需咨询其他直径硅片的使用事宜，请联系客户经理

该设备由水平传送箱、带气闸装载的晶片移动系统和集成工艺站组成。该设备的设计确保了高生产率、工艺流程的质量以及在单件和小批量生产中的经济灵活性。

设备包括：

真空泵系统；
燃气系统；
技术模块；
配备冗余电源的电气系统；
冷却/恒温控制的系统；
带触摸屏的自动控制系统；
机器人装卸晶片匣模块 (可选)

设计产量 —— 每小时可处理多达30块晶片，具体取决于操作过程的持续时间。

根据工艺流程的要求，真空系统基于干式预真空泵、涡轮分子泵或低温泵构建，包括配备化学组件的系统。真空传感器系统确保在设备整个运行范围内对过程进行全面控制。