多工位真空设备 (FEBA)

参数	参数值
晶片直径	100 mm (SEMI M1) и 150 mm (SEMI M1.13)
装载端口数量	2
工艺站数量	5
工艺站类型	磁控溅射，等离子体化学蚀刻，离子清洗/蚀刻，化学气相沉积，热处理
尺寸（长x 宽 x 高）	1200х1000х500 mm
产量（在条件过程持续时间为40秒的情况下）	从30到60 晶片/小时

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技术

清洗、蚀刻、沉积、快速热处理

用途

在一个真空周期中实现半导体晶片加工技术

设备包括：

5 个集成工艺站，用于清洗、蚀刻、涂层沉积或热处理。可根据要求提供工艺站配置

所有工艺站共用前真空泵系统

每个工艺站的独立高真空泵系统

每个工艺站的燃气系统

触摸屏控制系统

配备冗余电源的电气系统

将晶片转移到加工区的机械手

机器人装卸盒模块 (可选)

设备运行特点

传送箱容纳了移动机制，其确保晶片从一个处理位置同步移动到另一个处理位置。人工或自动将晶片/晶片盒装入装载端口，然后将晶片传送到传送转盘，依次通过所有处理站，并卸载回来.

工艺站包括一个独立高真空泵的密封机构、一个放置晶片的升降台和一个带有加工装置的铰链盖。工艺站容积的全真空隔离，可在压力和工作气体成分不相同的情况下进行技术处理，而不会相互影响。每个站都配有独立的泵和工艺气体控制系统。作为一种加工装置，这些站配备了磁控管、高密度感应等离子源、离子源等.

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