多位置真空设备

参数	参数值
Diameter of processed wafers	100 (SEMI M1.11) / 150 (SEMI M1.13)
装卸口数量	2
工艺站数量	5
总容积截止时工艺站的绝对压力限值（帕）	≤ 1·10^-5

技术	清洗、蚀刻、沉积、热处理
用途	在一个真空周期中实现半导体晶片加工技术
设备包括	◦ 5 个集成工艺站，用于清洗、蚀刻、涂层沉积或热处理。可根据要求提供工艺站配置. ◦ 所有工艺站共用前真空泵系统 ◦ 每个工艺站的独立高真空泵系统 ◦ 每个工艺站的燃气系统 ◦ 触摸屏控制系统 ◦ 配备冗余电源的电气系统 ◦ 将晶片转移到加工区的机械手 ◦ 机器人装卸盒模块 (可选)
设备运行特点	传送箱容纳了移动机制，其确保晶片从一个处理位置同步移动到另一个处理位置。人工或自动将晶片/容器装入装卸口，然后将晶片传送到传送转盘，依次通过所有处理站，并卸载回来。工艺站包括一个独立高真空泵的密封机构、一个放置晶片的升降台和一个带有加工装置的铰链盖。工艺站容积的全真空隔离，可在压力和工作气体成分不相同的情况下进行技术处理，而不会相互影响。每个站都配有独立的泵和工艺气体控制系统。作为一种加工装置，这些站配备了磁控管、高密度感应等离子源、离子源等。