远程等离子体中的光刻胶蚀刻

参数	参数值
晶片直径（毫米）	100 or 150
蚀刻均匀度（%）	< 4%
产量（晶片/小时）	20-45
引入缺陷	Particles >0.2 µm – no more than 0.15 pcs/cm2

技术	远程等离子体中的蚀刻
用途	等离子体化学去除半导体晶片上的光刻胶
设备包括	◦ 装卸模块 ◦ 工艺站 ◦ 工艺台 ◦ 底座 ◦ 冷却系统 ◦ 气体系统 ◦ 控制及供电系统 ◦ 真空系统 ◦ 蚀刻结束系统 ◦ 操作面板
设备运行特点	在 ICP 源中，等离子体是在一个独立的设备中产生的，该设备有自己的结构紧凑放电室。放电室由氧化铝陶瓷制成，可在氧气、氟或氢气等离子体中运行。加长型感应器设计为高流速下原料气体的排放和高效解离提供了最佳条件。活性气体混合物送入待处理晶片所在的工艺室中。晶片放在加热台上，加热温度为 70 至 320 °C。通过平台的垂直移动，可以在加工过程中设置板材的高度。此外，还可通过销钉将晶片提升到工作台上方，以处理晶片的边缘和背面，清除残留污染物。. 工作气体通过电感耦合等离子体发生器，然后通过扩孔筛网，对蚀刻均匀性进行微调。排空从反应器底部进行，确保工艺的稳定性和均匀性。通过气体无关的电容式压力传感器进行控制。在泵送管路中安装了一个基于快速光谱仪的气体分析仪，其读数用于确定蚀刻终止的时刻，从而提高生产率并缩短去除光刻胶后开放半导体结构的曝光时间。