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控制引入缺陷

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控制引入缺陷
控制引入缺陷
 参数

  参数值  

最小缺陷尺寸 (纳米)

From 90 to 80

缺陷定位精度(微米)

From ±50 to ±25

晶片直径 (毫米)

100 / 150

尺寸(长x宽x高),厘米

80x90x120

 技术 颗粒和缺陷激光散射技术
    用途 控制无拓扑晶片上的引入缺陷
设备包括
◦ 大气装卸模块
◦ 测量模块
◦ 指示灯
◦ 供电系统
◦ 控制系统
◦ 操作面板
◦ 外壳
设备运行特点 缺陷检测使用聚焦强光束,将晶片表面射入检测区。晶片表面的散射光由光学系统收集到检测器上,接收到的信号由专用软件进行数字化处理。对于每块晶片,用户都会收到报告,其内容包含检测区内是否存在缺陷、缺陷大小和位置等信息。

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